近日，有消息稱受英特爾與三星等競爭壓力所致，國際ic代工制造龍頭臺積電將加快先進工藝開發(fā)量產(chǎn)步伐，除加速南科廠16納米產(chǎn)能布建之外，還將加快10納米生產(chǎn)線的建設，計劃于明年下半年完成10納米的產(chǎn)品設計，2016年下半年量產(chǎn)。隨著集成電路工藝逐漸接近物理極限，技術(shù)難度加大，摩爾定律一度逐漸減慢，這也在一定程度上給了我國ic產(chǎn)業(yè)追趕國際先進水平的機會。然而，受到競爭加劇影響，業(yè)內(nèi)龍頭大廠在先進制程推進上似乎又有重新加速的跡象。這是否將導致我國大陸ic代工制造水平與國際先進水平之間的差距進一步拉大呢?

　　根據(jù)臺積電在近日舉辦的法說會上發(fā)布的技術(shù)路線圖，臺積電16納米工藝預計在明年第一季度拉升至每月5萬片，由此量產(chǎn)時程可望提前至明年第二季度，比預定時間提前一個季度;10納米工藝從2013年開始進行技術(shù)開發(fā)，計劃明年第一季度于中科廠建置10納米試產(chǎn)線，量產(chǎn)時程則落在2016年下半年。不過受制于euv技術(shù)的輸出率仍未達到量產(chǎn)需求，屆時10納米工藝仍將采用多重曝光的方式，并集中于12英寸晶圓廠生產(chǎn)。

　　集成電路芯片制造業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的核心主體，大力發(fā)展集成電路芯片制造業(yè)一直是我國推進集成電路產(chǎn)業(yè)的重要方向之一。一直以來，在先進工藝方面，我國大陸制造技術(shù)與先進水平的差距大體相差2代。目前，中芯國際最先進的制造技術(shù)為40納米，與國際先進水平相差1.5代，實際已經(jīng)追近了一步，至少是沒有被落下。而中芯國際的28納米工藝有望于今年年底進行試量產(chǎn)，明年初實現(xiàn)量產(chǎn)。這樣，與臺積電仍將保持1.5代到2代的差距(將視臺積電16納米工藝量產(chǎn)是否順利而定)。同時，中芯國際也在開發(fā)14納米、10納米的工藝技術(shù)，根據(jù)計劃，預計在2016年到2017年可實現(xiàn)14納米的工藝開發(fā)，順利的話可能進行試產(chǎn)。這樣算來，并沒有與先進水平拉大差距。

　　其實，ic制造的競爭不僅表現(xiàn)在先進工藝的開發(fā)與量產(chǎn)上，僅僅是因為它更引人注目。實際上，我國ic制造的弱勢更多存在于設計服務能力和支持體系的不完善之上。隨著技術(shù)的發(fā)展，當前ic設計、制造、ena工具，甚至是封裝的工藝流程，有越來越多相互融合的趨勢，衡量ic制造業(yè)實力強弱的重點越來越多地體現(xiàn)在企業(yè)是否能夠建立起完整的設計服務和支持體系，是否能夠充分進行ip核的研發(fā)以滿足工藝開發(fā)需求，甚至更高地建立在對設計方法學的理解程度之上。而國內(nèi)很多ic制造廠在這些方面都存在明顯不足。這些軟硬實力的補足，才是我國ic制造企業(yè)下一步亟須強化的重點。